Inženýři společností IBM a Samsung vytvářejí vertikální VTFET, které mohou buď zvýšit výkon, nebo snížit spotřebu energie

Na nedávno konané konferenci IDEM v San Franciscu v USA zástupci IBM a Samsungu představily veřejnosti svůj nový vývoj, který implikuje vertikální uspořádání tranzistorů v bramborové hranolky.

Tato technologie se nazývá Vertical Transport Field Effect Transistor (VTFET), což ji umožňuje nebo výrazně zvyšuje výkon, nebo výrazně snížit spotřebu energie čipu oproti běžným mikroobvodům téhož velikost.

Nový vývoj a jeho perspektivy

Jak víte, při vytváření moderních procesorů a čipů jsou tranzistory aplikovány na silikonovou podložku v horizontální rovině. Technologie VTFET předpokládá jejich vertikální umístění. A podle samotných vývojářů má tento přístup hned dvě výrazné výhody.

Takže díky použití VTFET je možné obejít mnohá existující omezení díky působení Moorova zákona.

Pro referenci. Podle Moorova zákona se celkový počet tranzistorů umístěných na čipu integrovaného obvodu každé dva roky zdvojnásobí.

A také díky použití nové konstrukce lze výrazně snížit elektrické ztráty použitím efektivnějšího přesměrování toku energie.

Takže podle výpočtů specialistů tento přístup umožní vytvořit nové čipy, které budou nebo alespoň dvakrát větší účinné stávající analogy nebo spotřebují o 85 % méně energie než analogy vyvíjené pomocí této technologie FinFET.

Odborníci se domnívají, že čipy vyrobené technologií VTFET umožní v budoucnu vyrábět například mobilní telefony, které budou fungovat na jedno nabití baterie až jeden týden a/nebo snadno provádět energeticky náročné operace, například provádět kryptominaci se sníženou spotřebou energie.

Kdy se takové čipy plně uplatní v moderních elektronických zařízeních, zatím není známo. Vývoj této technologie tedy budeme v budoucnu sledovat.

Pokud se vám materiál líbil, nezapomeňte se přihlásit k odběru kanálu a děkujeme za vaši pozornost!